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DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

não conforme

DMN10H220LQ-13 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10,000 $0.07840 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 220mOhm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.3 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 401 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.3W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

FDS8449-G
UF4C120070K3S
UF4C120070K3S
$0 $/pedaço
IRFP451
IRFP451
$0 $/pedaço
DMT12H7M9LPSW-13
SIR800DP-T1-RE3
DMN3061SWQ-13
RF1S23N06LESM9A
SQS482EN-T1_BE3

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