Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

compliant

SIR800DP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.74280 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.3mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 133 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5125 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 69W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

DMN3061SWQ-13
RF1S23N06LESM9A
SQS482EN-T1_BE3
IRF711
IRF711
$0 $/pedaço
DMT12H7M9SPSW-13
FQP4N50
FQP4N50
$0 $/pedaço
GT1003D
GT1003D
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.