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R6011KNJTL

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R6011KNJTL

MOSFET N-CH 600V 11A LPTS

não conforme

R6011KNJTL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.95700 -
2,000 $0.92400 -
398 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 390mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 740 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 124W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LPTS
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IXFH130N15X3
IXFH130N15X3
$0 $/pedaço
IXFP90N20X3M
IXFP90N20X3M
$0 $/pedaço
ISL9N310AD3ST
SI2304BDS-T1-GE3
BUK7514-60E,127
BUK7514-60E,127
$0 $/pedaço
FDS6676S
IRFB38N20DPBF

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