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TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

MOSFET N CH 120V 60A TO-220

não conforme

TK32E12N1,S1X Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.41000 $1.41
50 $1.12840 $56.42
100 $0.98740 $98.74
500 $0.76570 $382.85
1,000 $0.60450 -
2,500 $0.56420 -
84 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 120 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 13.8mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 500µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2000 pF @ 60 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 98W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

FDS6676S
IRFB38N20DPBF
FDMS7570S
FDMS7570S
$0 $/pedaço
DMPH6250S-7
DMPH6250S-7
$0 $/pedaço
IRF2807PBF
MCU60P06-TP
MCU60P06-TP
$0 $/pedaço
STU4N80K5
STU4N80K5
$0 $/pedaço

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