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R6011ENJTL

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MOSFET N-CH 600V 11A LPTS

compliant

R6011ENJTL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.65200 -
440 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 390mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 670 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 40W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LPTS
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SI4386DY-T1-E3
SI4386DY-T1-E3
$0 $/pedaço
STD7N80K5
STD7N80K5
$0 $/pedaço
STLD125N4F6AG
BUK9E4R9-60E,127
BUK9E4R9-60E,127
$0 $/pedaço
STP43N60DM2
STP43N60DM2
$0 $/pedaço
PMPB10ENZ
PMPB10ENZ
$0 $/pedaço
DI9430T
DI9430T
$0 $/pedaço
NTD4857NT4G
NTD4857NT4G
$0 $/pedaço
IXTH1N200P3HV
IXTH1N200P3HV
$0 $/pedaço

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