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IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV

IXYS

MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV

compliant

IXTH1N200P3HV Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.33000 $6.33
30 $5.18667 $155.6001
120 $4.68050 $561.66
510 $3.92151 $1999.9701
1,020 $3.54200 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 2000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 40Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 646 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247HV
pacote / caixa TO-247-3 Variant
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Número da peça relacionada

HUFA76633P3
IXTQ64N25P
IXTQ64N25P
$0 $/pedaço
IXFK24N80P
IXFK24N80P
$0 $/pedaço
STP80NF06
STP80NF06
$0 $/pedaço
APT5018SLLG/TR
BUK961R7-40E,118
BUK961R7-40E,118
$0 $/pedaço
HUF76413D3
EPC2020
EPC2020
$0 $/pedaço
RM002N30DF
RM002N30DF
$0 $/pedaço

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