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RM002N30DF

RM002N30DF

RM002N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN

compliant

RM002N30DF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.32000 $0.32
500 $0.3168 $158.4
1000 $0.3136 $313.6
1500 $0.3104 $465.6
2000 $0.3072 $614.4
2500 $0.304 $760
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 85A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4345 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 187W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IXTH150N15X4
IXTH150N15X4
$0 $/pedaço
PSMN070-200P,127
PSMN5R6-60YLX
PSMN5R6-60YLX
$0 $/pedaço
IRFBC40PBF
IRFBC40PBF
$0 $/pedaço
FDD6776A
IXTP4N65X2
IXTP4N65X2
$0 $/pedaço
IPD65R380E6
STH150N10F7-2

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