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EM6M1T2R

EM6M1T2R

EM6M1T2R

MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

não conforme

EM6M1T2R Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
8,000 $0.14500 -
16,000 $0.14000 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N and P-Channel
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V, 20V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100mA, 200mA
rds em (máx.) @ id, vgs 8Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 0.9nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 13pF @ 5V
potência - máx. 150mW
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa SOT-563, SOT-666
pacote de dispositivo do fornecedor EMT6
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Número da peça relacionada

HCT802
IRF7341QTRPBF
DMN5L06VA-7
DMN5L06VA-7
$0 $/pedaço
IRF7379PBF
IPB080N03LG
NDS9942
NDS9942
$0 $/pedaço
SI4562DY-T1-E3
SI4562DY-T1-E3
$0 $/pedaço
SI6993DQ-T1-GE3
SI1016X-T1-E3
SI1016X-T1-E3
$0 $/pedaço
SI4814BDY-T1-E3

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