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SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

SI4814BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

não conforme

SI4814BDY-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 N-Channel (Half Bridge)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A, 10.5A
rds em (máx.) @ id, vgs 18mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 3.3W, 3.5W
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

NDS8961
NDS8961
$0 $/pedaço
SI4933DY-T1-GE3
FDW2501NZ
NDS9955
NDS9955
$0 $/pedaço
MRF6V2300NR5578
MRF6V2300NR5578
$0 $/pedaço
APTC80DSK29T3G
FF4MR12KM1H
EFC6617R-TF
EFC6617R-TF
$0 $/pedaço

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