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NP60N03KUG-E1-AY

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MOSFET N-CH 30V 60A TO263

não conforme

NP60N03KUG-E1-AY Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 93 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.8W (Ta), 88W (Tc)
temperatura de operação 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRF644NPBF
IRF644NPBF
$0 $/pedaço
FQI4N20LTU
FQI4N20LTU
$0 $/pedaço
IRLR2908PBF
IRFR7746PBF-INF
RP1E090XNTCR
RP1E090XNTCR
$0 $/pedaço
FDPF041N06BL1
BSS84TC
BSS84TC
$0 $/pedaço
SI4104DY-T1-E3
SI4104DY-T1-E3
$0 $/pedaço
FDP3651U
AUIRFU1010Z

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