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RM35N30DN

RM35N30DN

RM35N30DN

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 35A 8DFN

compliant

RM35N30DN Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.25000 $0.25
500 $0.2475 $123.75
1000 $0.245 $245
1500 $0.2425 $363.75
2000 $0.24 $480
2500 $0.2375 $593.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.5mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1265 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 35W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN-EP (3x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IRF7406PBF
IRFW530ATM
CSD16327Q3
CSD16327Q3
$0 $/pedaço
STF10N60DM2
STF10N60DM2
$0 $/pedaço
FQB4N80TM
FQB4N80TM
$0 $/pedaço
DMN3028L-13
DMN3028L-13
$0 $/pedaço
STW14NK50Z
STW14NK50Z
$0 $/pedaço
IXFX100N65X2
IXFX100N65X2
$0 $/pedaço
SIDR570EP-T1-RE3

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