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IRFW530ATM

IRFW530ATM

IRFW530ATM

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

IRFW530ATM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.28000 $0.28
500 $0.2772 $138.6
1000 $0.2744 $274.4
1500 $0.2716 $407.4
2000 $0.2688 $537.6
2500 $0.266 $665
2166 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 110mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 36 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 790 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 55W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

CSD16327Q3
CSD16327Q3
$0 $/pedaço
STF10N60DM2
STF10N60DM2
$0 $/pedaço
FQB4N80TM
FQB4N80TM
$0 $/pedaço
DMN3028L-13
DMN3028L-13
$0 $/pedaço
STW14NK50Z
STW14NK50Z
$0 $/pedaço
IXFX100N65X2
IXFX100N65X2
$0 $/pedaço
SIDR570EP-T1-RE3
PSMN8R7-100YSFX
STP27N60M2-EP

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