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RM20P30D3

RM20P30D3

RM20P30D3

Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 30V 20A 8DFN

SOT-23

não conforme

RM20P30D3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.23000 $0.23
500 $0.2277 $113.85
1000 $0.2254 $225.4
1500 $0.2231 $334.65
2000 $0.2208 $441.6
2500 $0.2185 $546.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.9V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2130 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 35W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFN-EP (3x3)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IXTH64N10L2
IXTH64N10L2
$0 $/pedaço
MSC040SMA120B4
FKI07117
FKI07117
$0 $/pedaço
NVH4L040N120SC1
NVH4L040N120SC1
$0 $/pedaço
SQM50N04-4M0L_GE3
SI4686DY-T1-E3
SI4686DY-T1-E3
$0 $/pedaço
IPW65R190C7XKSA1
NVH4L020N120SC1
NVH4L020N120SC1
$0 $/pedaço
IXTA1N170DHV
IXTA1N170DHV
$0 $/pedaço

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