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IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV

IXTA1N170DHV

IXYS

MOSFET N-CH 1700V 1A TO263

SOT-23

não conforme

IXTA1N170DHV Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
50 $11.45160 $572.58
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1700 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 16Ohm @ 500mA, 0V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 47 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3090 pF @ 25 V
característica fet Depletion Mode
dissipação de potência (máx.) 290W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263HV
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRFR014TRPBF
IRFR014TRPBF
$0 $/pedaço
IRFP9240
IRFP9240
$0 $/pedaço
PSMN012-25YLC,115
PSMN012-25YLC,115
$0 $/pedaço
IXFK44N50P
IXFK44N50P
$0 $/pedaço
STFI26N60M2
STFI26N60M2
$0 $/pedaço
NTP082N65S3F
NTP082N65S3F
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