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PJS6416_S1_00001

PJS6416_S1_00001

PJS6416_S1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJS6416_S1_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 27mOhm @ 7.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.8 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 513 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-6
pacote / caixa SOT-23-6
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Número da peça relacionada

NTE4153NT1G
NTE4153NT1G
$0 $/pedaço
IPA60R650CEXKSA1
SI7113DN-T1-GE3
SCH1436-TL-W
SCH1436-TL-W
$0 $/pedaço
HUF75339S3ST
FQD1N50TM
NVTFS4C08NWFTWG
NVTFS4C08NWFTWG
$0 $/pedaço
SUM90220E-GE3
SUM90220E-GE3
$0 $/pedaço

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