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IPA60R650CEXKSA1

IPA60R650CEXKSA1

IPA60R650CEXKSA1

MOSFET N-CH 600V 7A TO220-FP

não conforme

IPA60R650CEXKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.18000 $1.18
10 $1.04100 $10.41
100 $0.82280 $82.28
500 $0.63808 $319.04
1,000 $0.50375 -
400 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 650mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 200µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 440 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 28W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-FP
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

SI7113DN-T1-GE3
SCH1436-TL-W
SCH1436-TL-W
$0 $/pedaço
HUF75339S3ST
FQD1N50TM
NVTFS4C08NWFTWG
NVTFS4C08NWFTWG
$0 $/pedaço
SUM90220E-GE3
SUM90220E-GE3
$0 $/pedaço
BUZ73A
BUZ73A
$0 $/pedaço

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