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PJS6404_S1_00001

PJS6404_S1_00001

PJS6404_S1_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

não conforme

PJS6404_S1_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.44000 $0.44
500 $0.4356 $217.8
1000 $0.4312 $431.2
1500 $0.4268 $640.2
2000 $0.4224 $844.8
2500 $0.418 $1045
2890 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.8A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 32mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 343 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-6
pacote / caixa SOT-23-6
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Número da peça relacionada

BUK9Y113-100E,115
IXFN150N10
IXFN150N10
$0 $/pedaço
BSD214SNL6327
FDPF190N15A
FDPF190N15A
$0 $/pedaço
DMN4035L-7
DMN4035L-7
$0 $/pedaço
HUF75307D3ST
HUF75307D3ST
$0 $/pedaço
SI5441BDC-T1-E3
ZXMN10B08E6QTA
IRFD420PBF
IRFD420PBF
$0 $/pedaço

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