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BUK9Y113-100E,115

BUK9Y113-100E,115

BUK9Y113-100E,115

MOSFET N-CH 100V 12A LFPAK56

não conforme

BUK9Y113-100E,115 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,500 $0.25451 -
3,000 $0.23205 -
7,500 $0.21708 -
10,500 $0.20211 -
37,500 $0.19163 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 110mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.1V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8.4 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 870 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LFPAK56, Power-SO8
pacote / caixa SC-100, SOT-669
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Número da peça relacionada

IXFN150N10
IXFN150N10
$0 $/pedaço
BSD214SNL6327
FDPF190N15A
FDPF190N15A
$0 $/pedaço
DMN4035L-7
DMN4035L-7
$0 $/pedaço
HUF75307D3ST
HUF75307D3ST
$0 $/pedaço
SI5441BDC-T1-E3
ZXMN10B08E6QTA
IRFD420PBF
IRFD420PBF
$0 $/pedaço
PSMN7R0-100PS,127

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