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PJQ4408P_R2_00001

PJQ4408P_R2_00001

PJQ4408P_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4408P_R2_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.53000 $0.53
500 $0.5247 $262.35
1000 $0.5194 $519.4
1500 $0.5141 $771.15
2000 $0.5088 $1017.6
2500 $0.5035 $1258.75
4988 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Ta), 42A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 7.1 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 763 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 35W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IRFBC30ASPBF
IRFBC30ASPBF
$0 $/pedaço
STF4N90K5
STF4N90K5
$0 $/pedaço
RM6N800IP
RM6N800IP
$0 $/pedaço
BUK7660-100A,118
IXFK48N60P
IXFK48N60P
$0 $/pedaço
NTD110N02RT4G
NTD110N02RT4G
$0 $/pedaço
FDD8586
FDD8586
$0 $/pedaço
IPS65R1K0CEAKMA1

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