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IPS65R1K0CEAKMA1

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IPS65R1K0CEAKMA1

MOSFET N-CH 650V 4.3A TO251

não conforme

IPS65R1K0CEAKMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,500 $0.34320 -
1878 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 200µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15.3 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 328 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 37W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-251
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

MGSF3455XT1
MGSF3455XT1
$0 $/pedaço
NVMYS2D2N06CLTWG
NVMYS2D2N06CLTWG
$0 $/pedaço
FQP20N06L
FQP20N06L
$0 $/pedaço
IPB014N06NATMA1
STFW38N65M5
STFW38N65M5
$0 $/pedaço
STL105N4LF7AG
FQD5P20TM
FQD5P20TM
$0 $/pedaço

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