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PJQ4401P_R2_00001

PJQ4401P_R2_00001

PJQ4401P_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4401P_R2_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.71000 $0.71
500 $0.7029 $351.45
1000 $0.6958 $695.8
1500 $0.6887 $1033.05
2000 $0.6816 $1363.2
2500 $0.6745 $1686.25
4975 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Ta), 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3228 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 60W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN3333-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

IPP50R399CPXKSA1
3LP01M-TL-H
3LP01M-TL-H
$0 $/pedaço
FDMS3662
FDMS3662
$0 $/pedaço
IXTT11P50
IXTT11P50
$0 $/pedaço
NTD20N03L27-001
NTD20N03L27-001
$0 $/pedaço
IRF540STRRPBF
IRF540STRRPBF
$0 $/pedaço
SIRA64DP-T1-RE3
NVMYS7D3N04CLTWG
NVMYS7D3N04CLTWG
$0 $/pedaço
STD15N60M2-EP
FDH047AN08A0
FDH047AN08A0
$0 $/pedaço

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