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PJMF190N60E1_T0_00001

PJMF190N60E1_T0_00001

PJMF190N60E1_T0_00001

600V SUPER JUNCITON MOSFET

compliant

PJMF190N60E1_T0_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.14000 $3.14
500 $3.1086 $1554.3
1000 $3.0772 $3077.2
1500 $3.0458 $4568.7
2000 $3.0144 $6028.8
2500 $2.983 $7457.5
1960 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 40 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1410 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 38W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor ITO-220AB-F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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Número da peça relacionada

FCH22N60N
FCH22N60N
$0 $/pedaço
SIHU7N60E-E3
SIHU7N60E-E3
$0 $/pedaço
APT34F100L
APT34F100L
$0 $/pedaço
IXFB210N30P3
IXFB210N30P3
$0 $/pedaço
SUP80090E-GE3
SUP80090E-GE3
$0 $/pedaço
VP0808L-G
VP0808L-G
$0 $/pedaço
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