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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | N-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 30 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 100mA (Ta) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 2.5V, 4V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 4Ohm @ 10mA, 4V |
vgs(th) (máx.) @ id | 1.5V @ 100µA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | - |
vgs (máx.) | ±20V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 7.8 pF @ 3 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 200mW (Ta) |
temperatura de operação | 150°C |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote de dispositivo do fornecedor | S-Mini |
pacote / caixa | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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