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PJD80N03_L2_00001

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PJD80N03_L2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

não conforme

PJD80N03_L2_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.64000 $0.64
500 $0.6336 $316.8
1000 $0.6272 $627.2
1500 $0.6208 $931.2
2000 $0.6144 $1228.8
2500 $0.608 $1520
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Ta), 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1323 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 55W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

FDN8601
FDN8601
$0 $/pedaço
DI050N04PT
DI050N04PT
$0 $/pedaço
SI2301CDS-T1-GE3
IXTQ26N50P
IXTQ26N50P
$0 $/pedaço
STD1NK60-1
STD1NK60-1
$0 $/pedaço
STP25N80K5
STP25N80K5
$0 $/pedaço
APT20M18LVRG
SQJA16EP-T1_GE3

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