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SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

SI2301CDS-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

não conforme

SI2301CDS-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.10400 -
6,000 $0.09850 -
15,000 $0.09025 -
30,000 $0.08475 -
75,000 $0.07650 -
473486 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.1A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 405 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

IXTQ26N50P
IXTQ26N50P
$0 $/pedaço
STD1NK60-1
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$0 $/pedaço
STP25N80K5
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$0 $/pedaço
APT20M18LVRG
SQJA16EP-T1_GE3
STB160N75F3
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$0 $/pedaço
R6024KNX
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NTD4906N-35H
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