Welcome to ichome.com!
Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Obsolete |
tipo de feto | P-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 12 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 4A (Ta) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 1.8V, 4.5V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 34mOhm @ 1A, 4.5V |
vgs(th) (máx.) @ id | 1V @ 1mA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | - |
vgs (máx.) | ±8V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 1400 pF @ 10 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 700mW (Ta) |
temperatura de operação | 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Surface Mount |
pacote de dispositivo do fornecedor | WSMini6-F1-B |
pacote / caixa | 6-SMD, Flat Leads |
Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.