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SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK

SOT-23

não conforme

SIHB33N60E-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $7.06000 $7.06
10 $6.32700 $63.27
100 $5.22810 $522.81
500 $4.27572 $2137.86
1,000 $3.64080 -
2,500 $3.46986 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 33A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 99mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 150 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3508 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 278W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIHP21N80AEF-GE3
AUIRFR4620TRL
RFP50N06
RFP50N06
$0 $/pedaço
DMN3051L-7
DMN3051L-7
$0 $/pedaço
SPW17N80C3FKSA1
IRF540SPBF
IRF540SPBF
$0 $/pedaço
MMBF2201NT1
MMBF2201NT1
$0 $/pedaço
IXFX140N25T
IXFX140N25T
$0 $/pedaço
SI2318DS-T1-E3
SI2318DS-T1-E3
$0 $/pedaço

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