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NVTFS4C06NTAG

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 21A 8WDFN

não conforme

NVTFS4C06NTAG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,500 $0.38579 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 26 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1683 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.1W (Ta), 37W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-WDFN (3.3x3.3)
pacote / caixa 8-PowerWDFN
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Número da peça relacionada

RM30P55LD
RM30P55LD
$0 $/pedaço
SI4413ADY-T1-GE3
MCG65N03-TP
MCG65N03-TP
$0 $/pedaço
IXTA10P50P-TRL
IXTA10P50P-TRL
$0 $/pedaço
SCT3120ALGC11
STL12N60M2
STL12N60M2
$0 $/pedaço
NTD23N03R-001
NTD23N03R-001
$0 $/pedaço
FDBL9406-F085
FDBL9406-F085
$0 $/pedaço

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