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SCT3120ALGC11

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SCT3120ALGC11

SICFET N-CH 650V 21A TO247N

não conforme

SCT3120ALGC11 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $7.26000 $7.26
10 $6.55800 $65.58
30 $6.25267 $187.5801
120 $5.42900 $651.48
270 $5.18500 $1399.95
510 $4.72751 $2411.0301
1,020 $4.27000 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 18V
rds em (máx.) @ id, vgs 156mOhm @ 6.7A, 18V
vgs(th) (máx.) @ id 5.6V @ 3.33mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 18 V
vgs (máx.) +22V, -4V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 460 pF @ 500 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 103W (Tc)
temperatura de operação 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247N
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

STL12N60M2
STL12N60M2
$0 $/pedaço
NTD23N03R-001
NTD23N03R-001
$0 $/pedaço
FDBL9406-F085
FDBL9406-F085
$0 $/pedaço
XP151A12A2MR-G
NVMFS6H836NWFT3G
NVMFS6H836NWFT3G
$0 $/pedaço
NTMFS5H425NLT1G
NTMFS5H425NLT1G
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R6507ENXC7G
R6507ENXC7G
$0 $/pedaço

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