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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | N-Channel |
tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 650 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 21A (Tc) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 18V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 156mOhm @ 6.7A, 18V |
vgs(th) (máx.) @ id | 5.6V @ 3.33mA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 38 nC @ 18 V |
vgs (máx.) | +22V, -4V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 460 pF @ 500 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 103W (Tc) |
temperatura de operação | 175°C (TJ) |
tipo de montagem | Through Hole |
pacote de dispositivo do fornecedor | TO-247N |
pacote / caixa | TO-247-3 |
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