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NVMTS0D4N04CLTXG

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 553.8A 8DFNW

não conforme

NVMTS0D4N04CLTXG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $2.54182 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 553.8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 163 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 20600 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFNW (8.3x8.4)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IXFH170N25X3
IXFH170N25X3
$0 $/pedaço
DMG2301L-13
DMG2301L-13
$0 $/pedaço
SQJ474EP-T1_BE3
SI4465ADY-T1-E3
STF40NF20
STF40NF20
$0 $/pedaço
IPD50R950CEAUMA1
IRF9640PBF-BE3
IRF9640PBF-BE3
$0 $/pedaço
NVMYS4D6N04CLTWG
NVMYS4D6N04CLTWG
$0 $/pedaço

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