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NVMYS4D6N04CLTWG

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NVMYS4D6N04CLTWG

onsemi

MOSFET N-CH 40V 21A/78A LFPAK4

não conforme

NVMYS4D6N04CLTWG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.87556 $0.87556
500 $0.8668044 $433.4022
1000 $0.8580488 $858.0488
1500 $0.8492932 $1273.9398
2000 $0.8405376 $1681.0752
2500 $0.831782 $2079.455
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 21A (Ta), 78A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.5mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 40µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.6W (Ta), 50W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LFPAK4 (5x6)
pacote / caixa SOT-1023, 4-LFPAK
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Número da peça relacionada

DMT12H090LFDF4-13
STD11N60DM2
STD11N60DM2
$0 $/pedaço
STF15N60M2-EP
SI4128DY-T1-E3
SI4128DY-T1-E3
$0 $/pedaço
APT1003RBLLG
R6009END3TL1
R6009END3TL1
$0 $/pedaço
BUK9640-100A,118
IPP50R520CPXKSA1
FQP3P50
FQP3P50
$0 $/pedaço

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