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NVMFS6H801NWFT1G

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN

não conforme

NVMFS6H801NWFT1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,500 $1.24713 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23A (Ta), 157A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4120 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 166W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacote / caixa 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Número da peça relacionada

BUK954R2-55B,127
FDB0170N607L
FDB0170N607L
$0 $/pedaço
FQD12N20LTM-F085
FQD12N20LTM-F085
$0 $/pedaço
AUIRF2804L
AUIRF1405-INF
SI7658ADP-T1-GE3
STF16N65M5
STF16N65M5
$0 $/pedaço
NVMFS5C468NLAFT1G
NVMFS5C468NLAFT1G
$0 $/pedaço
IXTH2N150L
IXTH2N150L
$0 $/pedaço

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