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IXTH2N150L

IXTH2N150L

IXTH2N150L

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 2A TO247

não conforme

IXTH2N150L Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $9.10200 $273.06
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 20V
rds em (máx.) @ id, vgs 15Ohm @ 1A, 20V
vgs(th) (máx.) @ id 8.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 72 nC @ 20 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1470 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 290W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247 (IXTH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

STD9NM50N
STD9NM50N
$0 $/pedaço
IPT012N08N5ATMA1
IRFP054PBF
IRFP054PBF
$0 $/pedaço
NVMFS5C442NWFET1G
NVMFS5C442NWFET1G
$0 $/pedaço
SI4401DDY-T1-GE3
STF100N10F7
STF100N10F7
$0 $/pedaço
FDMC7660S
FDMC7660S
$0 $/pedaço

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