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NVMFS5C628NLWFAFT3G

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onsemi

MOSFET N-CH 60V 28A/150A 5DFN

não conforme

NVMFS5C628NLWFAFT3G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $0.63933 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 28A (Ta), 150A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 135µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 52 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.7W (Ta), 110W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacote / caixa 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Número da peça relacionada

RQ1E050RPTR
RQ1E050RPTR
$0 $/pedaço
SI1427EDH-T1-GE3
PHK04P02T,518
PHK04P02T,518
$0 $/pedaço
IXFH34N65X2
IXFH34N65X2
$0 $/pedaço
BUK9M23-80EX
BUK9M23-80EX
$0 $/pedaço
NTB150N65S3HF
NTB150N65S3HF
$0 $/pedaço
NVTYS029N08HTWG
NVTYS029N08HTWG
$0 $/pedaço
FCH165N65S3R0-F155
FCH165N65S3R0-F155
$0 $/pedaço
SQJ416EP-T1_GE3

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