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NVMFS5830NLWFT1G

NVMFS5830NLWFT1G

NVMFS5830NLWFT1G

onsemi

MOSFET N-CH 40V 29A 5DFN

compliant

NVMFS5830NLWFT1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 29A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 113 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5880 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 158W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacote / caixa 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Número da peça relacionada

IRFH5303TR2PBF
DMP210DUFB4-7B
FCH099N65S3_F155
FCH099N65S3_F155
$0 $/pedaço
BUK9E1R8-40E,127
BUK9E1R8-40E,127
$0 $/pedaço
IRFS33N15D
IXTR90P10P
IXTR90P10P
$0 $/pedaço
PMN38EN,165
PMN38EN,165
$0 $/pedaço
IRF5805
IRF5805
$0 $/pedaço
SI1426DH-T1-GE3

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