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BUK9E1R8-40E,127

BUK9E1R8-40E,127

BUK9E1R8-40E,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

compliant

BUK9E1R8-40E,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.1V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 120 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 16400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 349W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I2PAK
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

IRFS33N15D
IXTR90P10P
IXTR90P10P
$0 $/pedaço
PMN38EN,165
PMN38EN,165
$0 $/pedaço
IRF5805
IRF5805
$0 $/pedaço
SI1426DH-T1-GE3
IRFBC30STRL
IRFBC30STRL
$0 $/pedaço
IRLR7833CPBF
BUZ30A E3045A

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