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NVD4806NT4G-VF01

NVD4806NT4G-VF01

NVD4806NT4G-VF01

onsemi

NVD4806 - SINGLE N-CHANNEL POWER

compliant

NVD4806NT4G-VF01 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.37000 $0.37
500 $0.3663 $183.15
1000 $0.3626 $362.6
1500 $0.3589 $538.35
2000 $0.3552 $710.4
2500 $0.3515 $878.75
2500 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11.3A (Ta), 79A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 11.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 30A, 11.5V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 37 nC @ 11.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2142 pF @ 12 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.4W (Ta), 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DPAK-3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SIRA12DP-T1-GE3
NTTFS5C670NLTWG
NTTFS5C670NLTWG
$0 $/pedaço
BUK9E8R5-40E,127
BUK9E8R5-40E,127
$0 $/pedaço
SQM40N10-30_GE3
PSMN057-200B,118
SI4168DY-T1-GE3
FDMS86101DC
FDMS86101DC
$0 $/pedaço
RD3P050SNTL1
RD3P050SNTL1
$0 $/pedaço
APT1201R5BVFRG

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