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SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8

compliant

SIRA12DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.41189 -
6,000 $0.38516 -
15,000 $0.37179 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2070 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 4.5W (Ta), 31W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

NTTFS5C670NLTWG
NTTFS5C670NLTWG
$0 $/pedaço
BUK9E8R5-40E,127
BUK9E8R5-40E,127
$0 $/pedaço
SQM40N10-30_GE3
PSMN057-200B,118
SI4168DY-T1-GE3
FDMS86101DC
FDMS86101DC
$0 $/pedaço
RD3P050SNTL1
RD3P050SNTL1
$0 $/pedaço
APT1201R5BVFRG
DMTH4005SCT
DMTH4005SCT
$0 $/pedaço

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