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NTMTS0D7N06CTXG

NTMTS0D7N06CTXG

NTMTS0D7N06CTXG

onsemi

MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW

não conforme

NTMTS0D7N06CTXG Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.04407 $5.04407
500 $4.9936293 $2496.81465
1000 $4.9431886 $4943.1886
1500 $4.8927479 $7339.12185
2000 $4.8423072 $9684.6144
2500 $4.7918665 $11979.66625
36360 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60.5A (Ta), 464A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.72mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 152 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 11535 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 294.6W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-DFNW (8.3x8.4)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IPL60R065C7AUMA1
BUK661R8-30C,118
BUK661R8-30C,118
$0 $/pedaço
HUF75842S3ST
SIHG460B-GE3
SIHG460B-GE3
$0 $/pedaço
IRFU9120PBF
IRFU9120PBF
$0 $/pedaço
SPW15N60CFDFKSA1
IPP60R190P6XKSA1
SISA72ADN-T1-GE3

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