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IPB200N15N3GATMA1

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MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK

não conforme

IPB200N15N3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.48606 -
2,000 $1.38358 -
5,000 $1.33233 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 8V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 20mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 90µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1820 pF @ 75 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IPL60R065C7AUMA1
BUK661R8-30C,118
BUK661R8-30C,118
$0 $/pedaço
HUF75842S3ST
SIHG460B-GE3
SIHG460B-GE3
$0 $/pedaço
IRFU9120PBF
IRFU9120PBF
$0 $/pedaço
SPW15N60CFDFKSA1
IPP60R190P6XKSA1
SISA72ADN-T1-GE3
FDPF045N10A
FDPF045N10A
$0 $/pedaço

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