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NTHS5402T1

NTHS5402T1

NTHS5402T1

onsemi

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

compliant

NTHS5402T1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.20000 $0.2
500 $0.198 $99
1000 $0.196 $196
1500 $0.194 $291
2000 $0.192 $384
2500 $0.19 $475
21000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 35mOhm @ 4.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.3W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor ChipFET™
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
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Número da peça relacionada

FDT3612
FDT3612
$0 $/pedaço
FDN360P
FDN360P
$0 $/pedaço
NX3020NAKW,115
APT10035JLL
BUK9635-55A,118
SI7153DN-T1-GE3

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