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TK7Q60W,S1VQ

TK7Q60W,S1VQ

TK7Q60W,S1VQ

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK

não conforme

TK7Q60W,S1VQ Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
75 $1.56000 $117
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.7V @ 350µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 490 pF @ 300 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 60W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-Pak
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

FDN360P
FDN360P
$0 $/pedaço
NX3020NAKW,115
APT10035JLL
BUK9635-55A,118
SI7153DN-T1-GE3
SIHP7N60E-GE3
SIHP7N60E-GE3
$0 $/pedaço
STFI8N80K5
STFI8N80K5
$0 $/pedaço

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