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NTD30N02T4G

NTD30N02T4G

NTD30N02T4G

onsemi

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

NTD30N02T4G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.28000 $0.28
500 $0.2772 $138.6
1000 $0.2744 $274.4
1500 $0.2716 $407.4
2000 $0.2688 $537.6
2500 $0.266 $665
22500 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 24 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 14.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1000 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 75W (Tj)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DPAK
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IPA50R299CPXKSA1
FDB2614
FDB2614
$0 $/pedaço
RSF015N06FRATL
PSMN041-80YLX
PSMN041-80YLX
$0 $/pedaço
CSD25211W1015
CSD25211W1015
$0 $/pedaço
IRF135B203
NTP360N80S3Z
NTP360N80S3Z
$0 $/pedaço
SIR870BDP-T1-RE3

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