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IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1

IPB025N08N3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

compliant

IPB025N08N3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.91337 -
2,000 $2.76771 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.5mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 270µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 206 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 14200 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIR870BDP-T1-RE3
STF26N65DM2
STF26N65DM2
$0 $/pedaço
FQU13N06LTU
FQU13N06LTU
$0 $/pedaço
STB75NF75LT4
STB75NF75LT4
$0 $/pedaço
SIHP15N60E-BE3
SIHP15N60E-BE3
$0 $/pedaço
AUIRFR4104TRL
SQS484EN-T1_BE3
RHP020N06T100

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