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NDBA180N10BT4H

NDBA180N10BT4H

NDBA180N10BT4H

onsemi

MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK

compliant

NDBA180N10BT4H Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V, 15V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6950 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 200W (Tc)
temperatura de operação 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

PHP110NQ06LT,127
PHP110NQ06LT,127
$0 $/pedaço
IXTH10P50
IXTH10P50
$0 $/pedaço
IRFBF20
IRFBF20
$0 $/pedaço
FDS4780
FDS4780
$0 $/pedaço
STP23NM60N
STP23NM60N
$0 $/pedaço
PSMN014-60LS,115
PSMN014-60LS,115
$0 $/pedaço
IRF7521D1TR
IRL3303L
IRL3303L
$0 $/pedaço
PSMN1R6-30BL,118
IPP100N06S3L-04

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