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STP23NM60N

STP23NM60N

STP23NM60N

MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB

compliant

STP23NM60N Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2050 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

PSMN014-60LS,115
PSMN014-60LS,115
$0 $/pedaço
IRF7521D1TR
IRL3303L
IRL3303L
$0 $/pedaço
PSMN1R6-30BL,118
IPP100N06S3L-04
IXFT26N50
IXFT26N50
$0 $/pedaço
STB21NM60N-1
STB21NM60N-1
$0 $/pedaço
NTTFS4C13NTWG
NTTFS4C13NTWG
$0 $/pedaço
BSP295E6327T

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