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HUF75321D3ST

HUF75321D3ST

HUF75321D3ST

onsemi

MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA

compliant

HUF75321D3ST Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.46308 -
5,000 $0.44121 -
12,500 $0.42558 -
25,000 $0.42331 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 36mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 44 nC @ 20 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 680 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 93W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SI1077X-T1-GE3
SI1077X-T1-GE3
$0 $/pedaço
STD10N60DM2
STD10N60DM2
$0 $/pedaço
IXFP8N85XM
IXFP8N85XM
$0 $/pedaço
PSMN2R5-60PLQ
PSMN2R5-60PLQ
$0 $/pedaço
SI7113ADN-T1-GE3
FDMA7628
RTQ020N05HZGTR

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