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FQPF2N80

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onsemi

MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F

não conforme

FQPF2N80 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.56000 $1.56
10 $1.40500 $14.05
100 $1.12930 $112.93
500 $0.87832 $439.16
1,000 $0.72776 -
889 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.3Ohm @ 750mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 550 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 35W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F-3
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

2N7002A
2N7002A
$0 $/pedaço
STP12N50M2
STP12N50M2
$0 $/pedaço
DI006P02PW
DI006P02PW
$0 $/pedaço
FQB7N10TM
PMN15UN115
PMN15UN115
$0 $/pedaço
FQPF13N10
FDS8447
FDS8447
$0 $/pedaço

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