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FDS8447

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 12.8A 8SOIC

FDS8447 Ficha de dados

não conforme

FDS8447 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.34408 -
5,000 $0.32162 -
12,500 $0.31038 -
25,000 $0.30426 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12.8A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10.5mOhm @ 12.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 49 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2600 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Número da peça relacionada

RM70P30DF
RM70P30DF
$0 $/pedaço
SPA06N60C3XKSA1
SIHB30N60ET1-GE3
STP20NK50Z
STP20NK50Z
$0 $/pedaço
2SJ652-RA11
2SJ652-RA11
$0 $/pedaço
IXFH88N30P
IXFH88N30P
$0 $/pedaço
PSMN1R6-30MLHX
SUD25N15-52-BE3
STP35N60M2-EP

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