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FQD19N10LTM

FQD19N10LTM

FQD19N10LTM

onsemi

MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK

compliant

FQD19N10LTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.38654 -
5,000 $0.36131 -
12,500 $0.34869 -
25,000 $0.34181 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 100mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 870 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRFZ46NPBF
FQP34N20
FQP34N20
$0 $/pedaço
SCT3080ALGC11
IRF740LCPBF-BE3
SSW7N60BTM
GPIHV30DFN
GPIHV30DFN
$0 $/pedaço
IRFBC40APBF-BE3
BSH103BKR
BSH103BKR
$0 $/pedaço
IRLS3036TRLPBF
FDB1D7N10CL7
FDB1D7N10CL7
$0 $/pedaço

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